间歇寿命试验系统IOL

间歇寿命试验系统IOL

间歇寿命试验系统IOL适用于各种封装形式的二极管、三极管、MOSFET、IGBT等器件的间歇寿命试验和稳态寿命试验。

  • 产品特点
  • 箱体结构
  • 控制系统
  • 安全防护

    •     在试验的过程中实时测量样品的结温，并显示结温差

    •     采用模块化设计，每个模块是一个独立试验单元。每个模块有独立的试验腔体，真正做到板与板之间完全独立。每个试验单元的风道互不影响

    •     在调试模式下，无论是开通状态还是关断状态下，均可以每隔一秒采集一次结温Tj，描绘出完整的温度变化曲线。可以防止在寻找试验条件时损坏器件

    •     三极管的试验线路采用共基极试验线路，更能满足宇航级产品的试验要求

    •     设备上可配置K系数测试装置

    •     箱体材质：测试区内箱SUS#304不锈钢板,外箱粉体烤漆。

    •     老化板：聚酰亚胺（Polymide）板材，Tg260℃。

    •     工控机配置：研华工业计算机，触控屏液晶显示屏。

    •     工控机的配置是：I5的CPU、1T硬盘、8G内存。

    •     软件配置：Windows 7中文 32位、间歇寿命试验系统测控软件

    •     主要功能：运行控制、插板检测、数据检测记录、报表输出。

    •     工控机配置：研华工业计算机，触控屏液晶显示屏。

    •     工控机的配置是：I5的CPU、1T硬盘、8G内存。

    •     软件配置：Windows 7中文 32位、间歇寿命试验系统测控软件

    •     主要功能：运行控制、插板检测、数据检测记录、报表输出。

    •     断电保护                                                                             

    •     过温保护                                                                            

    •     烟雾报警                                                                            

    •     UPS电源

设计和技术参数


产品型号AS-IOL-Z08AS-IOL-Z16
箱体尺寸
外箱尺寸（mm）宽（W)11401620
高（H)18201820
深（D)10601320
技术参数
适用器件串联通道:主要用于SI/SIC/GaN材料的Diode/IGBT/MOSFET/SCR/IPM测试。并联通道:主要用SI/SIC/GaN材料的MOSFET/IGBT、三极管测试。
试验通道8 个16个
试验容量48×8=384 位48×16=768位
基本功能①每个通道提供一组独立程控电源。
②对于三极管、MOSFET器件试验，可提供部分工位Tj检测或全部工位Tj检测。二极管试验提供全部工位Tj检测。
③对于二极管，每工位试验电流范围为0〜15A，并联后最大可提供60A试验电流。MOSFET及IGBT器件试验每工位18W试验功率。只需减少试验工位，就可增加器件的试验功率。
④可使用外部电源。如配置TDK、安捷伦等品牌电源。
基本配置并联模式：每个试验单元含一台   48V/33.5A电源、一套测试电流发生装置、一套控制监测板、一套风冷系统、一块老化板等。
串联模式：每个试验单元含一台  24V/67.5A电源、一套测试电流发生装置、一套控制监测板、一套风冷系统、一块老化板、一套电子负载等。
老化板老化板采用子母板的方式,只需更换子板即可试验不同封装的器件。
控制系统12.1英寸彩色液晶显示器
电气配置单相AC220V±10%，47Hz~63Hz，3KW单相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW
测试标准：
1、符合美国MIL-STD-750 Method 1037、1042标准。
    2、符合AEC-Q101 标准的要求。
    3、符合GJB128标准的要求。