可控硅可靠性测试及测试标准-温度冲击（循环）试验（一）
2019-11-28 21:00:58 浏览：1890 作者：Anson
可控硅可靠性测试及测试标准--环境类试验项目
可靠性试验是评估产品一定时间内可靠性水平,暴露存在的问题。可靠性是设计并制作在产品内的，而不是试验出来的。可靠性试验只能降低用户的风险。新的可靠性评估方法是为评估生产线的设计及工艺水平的，相信合格的生产线能把可靠性做到产品中去。
一、温度冲击（循环）试验(TC /TS)测试
目的：模拟环境温度变化或开关机造成的温度变化，考核温度交替变化对产品机械/电性能的影响，暴露粘片/键合/塑封等封装工艺/材料缺陷，及金属化/钝化等圆片工艺问题。
条件：-65℃~150℃ （500cycle/1000cycle)
失效机理：不同材料间热膨胀系数差异造成界面热匹配问题，造成金线断裂、键合脱落（开路）、塑封开裂（密封性失效）、界面分层（热阻增大） 、键合线开短路 、钝化层开裂、硅铝接触开路、芯片背面划痕继续长大导致芯片开裂。
测试标准： JESD22-A104-C