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适用的第三代半导体的研发和工艺改进 1、高温扩散工艺技术的改进，包括可能引起硅片内部隐裂的工艺技术改进 2、包封工艺技术、框架处理工艺技术的改进 3、塑封料、框架的变更 4、新产品（含新的封装结构） 5、封装工艺过程中的污染
高温高湿反偏试验系统特点：
支持USB接口记录功能，可扩展RS232、RS485连接计算机；
通过ISO-9001的质量认证
通过ISO-14001标准之环境管理认证
适用的分立器件研发和工艺改进
1、主要工艺技术的研发和改进
2、主要原材料的变更
3、新产品(偏向于芯片)
4、汽车电子产品（1000h）
5、符合JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101、GJB128A
箱体材质：测试区内箱SUS#304不锈钢板,外箱粉体烤漆。
保温材质：保温绝缘层耐燃防火 PU ＋ 隔热玻璃棉。
箱 门：全开单翼型，带有双层硅橡胶密封和门锁。
老化板：聚酰亚胺（Polymide）板材，Tg260℃；表面喷涂三防漆。
移动脚轮：强力螺栓固定位置支撑脚4个，移动调整轮4个(500Kg /轮 )移动试验箱用。
工控机配置：配置12英寸彩色液晶显示器工业计算机，触控显示屏，便于操作。机箱及电源：工控专用机箱串行通讯接口：4个
软件配置：Windows 7中文 32位正版设备专用控制软件
检控板配置：每个通道配置独立驱动检测板，8块驱动检测板对应8个老化通道；检控板为通用设计考虑，完全一致，可互换；
主要功能：试验每通道电压/工位漏电流检测/试验箱温度检测；
老化板插板状态检测；
回路通断状态检测；
驱动板通信状态检测；
设备自检以及高压击穿保护功能。
每工位高压击穿保护（每工位串联一个快熔陶瓷保险丝）。
数据记录：试验全程记录每个被试器件的漏流参数。
采样率：可根据需要设置数据采样间隔时间，间隔时间可设为1分钟到9999分钟
数据管理：原始数始以自定义格式记录数据保存于硬盘中，配套相应的软件可根据记录绘制漏电曲线和生成Excel数据报表。最大记录数可达100000个。
数据备份：系统具有数据自动备份功能。
系统可靠性：平均无故障时间;系统平均运行无故障时间≥10000小时
通信方式：RS-232转换器可连接单机电脑(可选配：RS-485远程连接监控）
漏电断路器安全保护 ，控制回路短路保护保险丝
电源用漏电断路器、温度保险丝、风机温度开关
上下限温度报警、超温保护设定器
意外断电时系统自动切断总电源，供电时需要人为操作恢复系统正常工作
AS-H3TRB-H8系列产品主要用于功率半导体器件的环境老化试验，比如 Si/SiC/GaN 材料的各种封装二极管、半桥、三极管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR、SiC、GaN器件进行高温高湿反偏试验。
电源电压范围为 0~6500V，可以根据客户要求选择不同电压等级电源，满足了不同产品同时试验的需求。试验温度范围最大可达-20~180℃。试验湿度范围最大为 10%～98%RH，灵活地支持不同类型的老化试验。最多支持 1280 个分立器件或72只半桥模块（上下桥切换），并支持不同封装的分立器件和模块组合试验，最大化地利用资源满足研发和大批量生产要求。
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