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AS-HTRB-C8小型高温反偏测试系统用于研发部分评估封装工艺的稳定性，加速缺陷失效率，剔除有隐患的器件或剔除有制造缺陷的器件（剔除早期失效的器件）。 适用于各种封装形式的二极管、三极管、半桥、场效应管、可控硅、IGBT等系列器件在高温环境下进行反向偏压试验。
设备的宽度为0.72米，可进出客运电梯，适用于研发部门小批量的高温反偏试验。
漏电流上限、试验电压上限、温度上限的设定；老化时间的设定；
实时监测并显示每通道的老化时间、老化进度、失效工位数等；
实时显示并记录保存老化参数（每工位IR、VR、Temp）；
实时判断是否超限，超限报警并记录超限工位及超限时间；
实时显示每工位的最大IR值，并显示最大IR值产生时间；
老化参数方便调用、可生成试验报表、可绘制漏电流变化曲线。
| 产品型号 | AS-HTRB-T08 | AS-HTRB-R16 | AS-HTRB-W32 | AS-HTRB-R08B | |
| 箱体尺寸 | |||||
| 试验箱内容积 | 升（L ) | 91 | 216 | 432 | 216 |
| 内箱尺寸（mm） | 宽（W) | 450 | 600 | 600 | 600 |
| 高（H) | 450 | 600 | 1200 | 600 | |
| 深（D) | 450 | 600 | 600 | 600 | |
| 外箱尺寸（mm） | 宽（W) | 720 | 1360 | 1500 | 1360 |
| 高（H) | 1620 | 1815 | 1815 | 1815 | |
| 深（D) | 1060 | 1320 | 1320 | 1320 | |
| 技术参数 | |||||
| 适用器件 | 适用于单管或单桥封装的DIODE、MOSFET、SCR、IGBT | 桥堆IGBT模块 | |||
| 高温温度范围 | RT+10~200℃ | ||||
| 试验通道 | 8 个 | 16 个 | 32个 | 4 个 | |
| 试验容量 | 80×8=640 位 | 80×16=1280 位 | 80×32=2560 位 | 20×8=160 位 | |
| 电源数量 | 4台 | 8台 | 16 台 | 8台 | |
| 试验电源 | 20V、100V、200V、300V、600V、1000V、1200V、2000V | 300V、600V、1200V、2000V | 2000V、3000V、5000V、8000V | ||
| 控制系统 | 12.1英寸彩色液晶显示器 | ||||
| 老化板 | 根据用户要求选配，标配基板Tg =260℃ ，特殊高温可按要求定制； | ||||
| 电气配置 | 单相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW | ||||
| 选配功能 | |||||
| 结温监测 | 可选配 | ||||
| 单工位断电保护 | 可选配 | ||||
| 双箱体分区控温 | 可选配 | ||||
| 开门断电 | 可选配 | ||||
| 执行标准： | |||||
| 符合JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101 | |||||
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