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碳化硅器件的可靠性试验清单

来源:原创 浏览:1630 发布日期:2021-01-22
                                                                产品可靠性试验清单
编号应力方式参考文件附加要求
No.
温度循环(TC)JESD22
A-104
附录6
4000个循环(AECQ只要求1000个循环)
-55℃至+150℃ ,1小时2个循环;
应力试验前后都要都要进行测试。
2恒温双85试验(THT) GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5
GB/T 2423.3-2006
JESD22-A101C
 TA = 85℃, RH = 85%, 高温扩散工艺技术的改进(重点是高温长时间扩散,如隔离扩散)包括可能引起硅片内部隐裂的工艺技术改进;包封工艺技术、框架处理工艺技术的改进。
高温反偏(HTRB)MIL-STD-750-1
M1038 方法 A
2000小时(AECQ只要求1000小时),
施加用户规范或产品规格书中的最高直流反向额定电压,环境温度TA要根据漏电损耗做相应调整使器件工作在最高结温175℃,应力试验前后都要进行测试。
高压加速寿命(PCT)JESD22
A-108
192小时(AECQ只要求96小时)
 TA = 121℃, RH = 100%, 15psig,应力试验前后都要都要进行测试。
高加速度应力测试(HAST)JESD22
A-110
96小时:TA=130°C/85%RH,施加反向偏压=80%额定电压直到达到室内放电电压(典型的42V),应力试验前后都要都要进行测试。
高温栅偏(HTGB)JESD22
A-108
不适用于二极管,只用于MOS&IGBT
在指定的TJ 下1000小时,HTGB前后都 要测试应力
高温高湿反向偏压(H3TRB)JESD22
A-101
2000小时(AECQ只要求1000小时),TA=85℃/85%RH,反向偏压=80%额击穿定电压,最高100V,应力试验前后都要都要进行测试。
间歇工作寿命(IOL)MIL-STD-750
方法1037
2000小时. 测试持续时间根据表2A计算,TA=25°C,器件通电以确保ΔTJ ≥ 100°C(不要超过绝对最大额定值),应力试验前后都要都要进行测试。
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